|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 115 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterisation of defects in p-type 4H-, 6H- and 3C-SiC epilayers grown on SiC substrates |
| Auteur: |
Kato, Masashi Ichikawa, Naoto Nakano, Yoshitaka |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 254 (2019) nr. C pagina's 96-98 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 115 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |