|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 81 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing of deep level defects in GaAs nanostructures by ion beam irradiation |
| Auteur: |
Mangla, Onkar Roy, Savita Annapoorni, S. Asokan, K. |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 217 () nr. C pagina's 231-234 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 81 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |