|
Corrigendum to “A simple route to deposit SiO2 film with resistivity >109 Ω·μm” [Mater. Lett. 211 (2018) 277–280] |
|
|
|
Titel: |
Corrigendum to “A simple route to deposit SiO2 film with resistivity >109 Ω·μm” [Mater. Lett. 211 (2018) 277–280] |
Auteur: |
Wang, Dengyao Liu, Jindong Lv, Zhixuan Tao, Hualong Cui, Yunxian Wang, Hualin Liu, Shimin Liu, Chaoqian Wang, Nan Jiang, Weiwei Chai, Weiping Ding, Wanyu |
Verschenen in: |
Materials letters |
Paginering: |
Jaargang 213 (2018) nr. C pagina's 399 |
Jaar: |
2018 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|