|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 66 gevonden artikelen
| Titel: |
Epitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on a-, m-, and r-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using α-Fe2O3 buffer layers |
| Auteur: |
Nishinaka, Hiroyuki Tahara, Daisuke Morimoto, Shota Yoshimoto, Masahiro |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 205 (2017) nr. C pagina's 28-31 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 66 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |