|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of self-aligned TiSi2 contacts to Si at low temperatures using TiCl4 and SiH4 with selective in-situ predeposition of Si x Ge1−x |
| Auteur: |
Xing, G.C. Öztürk, Mehmet C. |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 17 (1993) nr. 6 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |