|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 58 gevonden artikelen
| Titel: |
Atomic layer deposited Al2O3 on high quality p-type epitaxial-GaAs/Ge for advanced III–V/Ge based device application |
| Auteur: |
Kumar Dalapati, Goutam Chakraborty, Sandipan Mahata, Chandreswar Amin Bhuiyan, Maruf Dong, Jianrong Iskander, Aneesa Masudy-panah, Saied Dinda, Sanghamitra Bin Yang, Ren Lee, Taeyoon Chi, Dongzhi Kean Chia, Ching |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 156 (2015) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 58 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |