|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 104 van 271 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of In x Ga1−x As On silicon by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Georgakilas, A. Hatsopoulos, Z. Iliadis, A.A. Christou, A. |
| Verschenen in: |
Materials letters |
| Paginering: | Jaargang 7 (1989) nr. 12 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 104 van 271 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |