|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
Threshold-voltage shift model based on electron tunneling under positive gate bias stress for amorphous InGaZnO thin-film transistors |
| Auteur: |
Xu, Piao-Rong Yao, Ruo-He |
| Verschenen in: |
Displays |
| Paginering: | Jaargang 53 (2018) nr. C pagina's 14-17 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 9 gevonden artikelen
| << vorige |