|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 60 gevonden artikelen
| Titel: |
Highly efficient formation process for functional silicon oxide layers at low temperatures (≤ 120 °C) using very high-frequency plasma under atmospheric pressure |
| Auteur: |
Kakiuchi, Hiroaki Ohmi, Hiromasa Yasutake, Kiyoshi |
| Verschenen in: |
Precision engineering |
| Paginering: | Jaargang 60 () nr. C pagina's 265-273 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Inc. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 60 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |