|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Doping dependence of the internal quantum efficiency as a function of the beam voltage in electron-beam-excited n-type GaAs at 300°K |
| Auteur: |
Biswas, S.N. Rakshit, S. Chakravarti, A.N. |
| Verschenen in: |
Optics communications |
| Paginering: | Jaargang 3 (1971) nr. 5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1971 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |