|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Extraction of the active acceptor concentration in (pseudo-) vertical GaN MOSFETs using the body-bias effect |
| Auteur: |
Hentschel, R. Wachowiak, A. Großer, A. Kotzea, S. Debald, A. Kalisch, H. Vescan, A. Jahn, A. Schmult, S. Mikolajick, T. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 91 () nr. C pagina's 42-45 |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |