|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of the total dose response of partially depleted SOI nMOSFETs using TCAD simulation and experiment |
| Auteur: |
Huang, Huixiang Bi, Dawei Zhang, Zhengxuan |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 45 () nr. 6 pagina's 759-766 |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |