|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical modeling for 3D potential distribution of rectangular gate (RecG) gate-all-around (GAA) MOSFET in subthreshold and strong inversion regions |
| Auteur: |
Sharma, Dheeraj Kumar Vishvakarma, Santosh |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 43 () nr. 6 pagina's 358-363 |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |