|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Determination of boron concentration in heavily doped p-type Si1− x Ge x /Si heterostructure by infrared ellipsometric spectroscopy |
| Auteur: |
Chen, Changchun Liu, Jiangfeng Yu, Benhai Dai, Qirun |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 38 () nr. 3 pagina's 392-397 |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |