|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
In depth study of the compensation in annealed heavily carbon doped GaAs |
| Auteur: |
Rebey, A. Fathallah, W. El Jani, B. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 37 () nr. 2 pagina's 158-166 |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |