|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
A simulation study on the effect of channel thickness on the characteristics of Ga0.52In0.48P/In0.2Ga0.8As/Ga0.52In0.48P DH-pHEMT |
| Auteur: |
Yoon, S.F. Kam, A.H.T. Zheng, H.Q. Gay, B.P. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 31 () nr. 8 pagina's 667-676 |
| Jaar: |
2000 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |