|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of In0.48Ga0.52P/In0.2Ga0.8As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor using a two-dimensional device simulator |
| Auteur: |
Yoon, S.F Kam, A.H.T Gay, B.P Zheng, H.Q Ng, G.I |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 30 () nr. 8 pagina's 745-752 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |