|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Arsenic vapor pressure dependence of surface morphology and silicon doping in molecular beam epitaxial grown GaAs (n11)A (n=1–4) substrates |
| Auteur: |
Ohachi, T. Feng, J.M. Asai, K. Uwani, M. Tateuchi, M. Vaccaro, P.O. Fujita, K. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 30 () nr. 4-5 pagina's 471-476 |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |