|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of hydrogen-induced interface traps on a titanium dioxide-based palladium gate MOS capacitor (Pd-MOSC): a conductance study |
| Auteur: |
Dwivedi, D. Dwivedi, R. Srivastava, S.K. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 29 () nr. 7 pagina's 445-450 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |