|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
V/III ratio effects on the growth of In1−x−y Ga xAlyAs on InP substrates by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Yoon, S.F. Zhang, P.H. Zheng, H.Q. Radhakrishnan, K. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 29 () nr. 11 pagina's 889-893 |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 27 gevonden artikelen
| << vorige |