|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Epitaxial layer morphology of highly strained GaInAs/InP multiple quantum well structures grown by CBE |
| Auteur: |
Nlarschner, T. Tichelaar, F.D. Leys, M.R. Rongen, R.T.H. Verschuren, C.A. Vonk, H. Wolter, J.H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 8-10 pagina's 849-855 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |