|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 44 gevonden artikelen
| Titel: |
Lateral tunneling transistors fabricated by plane-dependent Si-doping in nonplanar epitaxy on GaAs (311)A and (411)A substrates |
| Auteur: |
Ohnishi, Hajime Fujita, Kazuhisa Watanabe, Toshihide |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 8-10 pagina's 1025-1029 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 44 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |