|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 27 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Relation between the leakage currents and the defects created in the oxide and at the interface in a short channel NMOS transistor |
| Auteur: |
Bouhdada, A. Bakkali, S. Nouaçry, A. Touhami, A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 28 () nr. 1 pagina's 85-91 |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 27 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |