|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of As overpressure on Si-doped (111)A, (211)A and (311)A GaAs grown by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Johnston, D. Pavesi, L. Henini, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 26 () nr. 8 pagina's 759-765 |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |