|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of In x Ga(1−x)N compound semiconductors and high-power InGaN/AlGaN double heterostructure violet-light-emitting diodes |
| Auteur: |
Nakamura, Shuji |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 25 () nr. 8 pagina's 651-659 |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |