|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of low energy boron implants in silicon through SiO2 films: implantation damage and anomalous diffusion |
| Auteur: |
Kaabi, L. Gontrand, C. Remaki, B. Seigneur, F. Balland, B. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 25 () nr. 7 pagina's 567-576 |
| Jaar: |
1994 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |