|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
The effect of composition and exposure to external factors on the electronic structure of amorphous silicon nitride in memory devices |
| Auteur: |
Domashevskaya, E.P. Seleznev, V.N. Desyatirikova, E.N. Terekhov, V.A. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 20 () nr. 6 pagina's 11-18 |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 9 gevonden artikelen
| << vorige |