|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 35 van 48 gevonden artikelen
| Titel: |
Properties of Mn-doped p-type In1−xAsyP1−ygrown by liquid-phase epitaxy |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 16 () nr. 2 pagina's 62 |
| Jaar: |
1985 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Benn Electronics Publications Ltd, Luton |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 35 van 48 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |