|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
A deep trench-type SiC MOSFET integrated with Schottky diode for enhanced oxide reliability and switching performances |
| Auteur: |
Tian, Liang Zhang, Qingchun |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 159 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 39 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |