|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 39 van 56 gevonden artikelen
| Titel: |
High-voltage GaN HEMT with self-biased P-GaN VLD layer for improved breakdown voltage and figure of merit |
| Auteur: |
Kong, Moufu Yu, Ning Zhang, Yaowen Cheng, Zeyu Zhang, Bingke Yi, Bo Yang, Hongqiang |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 156 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 39 van 56 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |