|
A novel double-trench SiC SBD-embedded MOSFET with improved figure-of-merit and short-circuit ruggedness |
|
|
|
Titel: |
A novel double-trench SiC SBD-embedded MOSFET with improved figure-of-merit and short-circuit ruggedness |
Auteur: |
Hu, Ziwei Yao, Jiafei Yang, Fan Dai, Yuxuan Yang, Kemeng Li, Man Chen, Jing Zhang, Maolin Zhang, Jun Guo, Yufeng |
Verschenen in: |
Microelectronics journal |
Paginering: |
Jaargang 155 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2025 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|