|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
An improved 4H-SiC trench MOS barrier Schottky diode with current spreading layer and low resistance layer |
| Auteur: |
Ge, Hai-tao Zhen, Wang-zi-xuan Yu, Cheng-hao yamamoto, Masayuki Zhao, Wen-sheng Guo, Hao-min Wu, Xiao-dong |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 154 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |