|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 38 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Step thickness drift region automatic design of SOI LDMOS using physics-inspired constrained simulated annealing algorithm |
| Auteur: |
Chen, Jing Guo, Jiajun Yao, Qing Yang, Kemeng Zhang, Jun Yao, Jiafei Guo, Yufeng |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 153 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 38 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |