|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 40 gevonden artikelen
| Titel: |
Asymmetric trench SiC MOSFET with integrated channel accumulation diode for enhanced reverse conduction and switching characteristics |
| Auteur: |
Gao, Sheng Zhang, Xianfeng Wang, Qi Yu, Shengqi Zuo, Yang Zhang, Hongsheng Huang, Yi |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 153 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 40 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |