|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
A Novel high-voltage DMG Fe-doped AlGaN/AlN/GaN HEMTs with sheet charge density model |
| Auteur: |
Rajalakshmi, E. Balamurugan, N.B. Hemalatha, M. Suguna, M. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 150 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |