|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 7 gevonden artikelen
| Titel: |
Redistribution phenomenon of residual impurities in undoped GaAs epitaxial layers grown by MOCVD as a function of growth time |
| Auteur: |
Aharoni, Herzl |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 15 () nr. 6 pagina's 24-30 |
| Jaar: |
1984 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Benn Electronics Publications Ltd, Luton |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 7 gevonden artikelen
| << vorige |