|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Temperature rise detection in GaN high-electron-mobility transistors via gate-drain Schottky junction forward-conduction voltages |
| Auteur: |
Huang, Xiujuan Guo, Chunsheng Wen, Qian Feng, Shiwei Zhang, Yamin |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 148 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |