|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
An analytical subthreshold I–V model of SiC MOSFETs |
| Auteur: |
Li, Yi Zhou, Tao Jiang, Geng Deng, Liangbin Guo, Zixuan Sun, Qiaoling Yin, Bangyong Yang, Yuqiu Wu, Junyao Cai, Huan Wang, Jun Yin, Jungang Liu, Qin Deng, Linfeng |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 146 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |