|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation on effect of AlN barrier thickness and lateral scalability of Fe-doped recessed T-gate AlN/GaN/SiC HEMT with polarization-graded back barrier for future RF electronic applications |
| Auteur: |
Mounika, B. Ajayan, J. Bhattacharya, Sandip Nirmal, D. Sreenivasulu, V. Bharath Kumari, N. Aruna |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 140 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |