Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
 
 
  Investigation on effect of AlN barrier thickness and lateral scalability of Fe-doped recessed T-gate AlN/GaN/SiC HEMT with polarization-graded back barrier for future RF electronic applications
 
 
Titel: Investigation on effect of AlN barrier thickness and lateral scalability of Fe-doped recessed T-gate AlN/GaN/SiC HEMT with polarization-graded back barrier for future RF electronic applications
Auteur: Mounika, B.
Ajayan, J.
Bhattacharya, Sandip
Nirmal, D.
Sreenivasulu, V. Bharath
Kumari, N. Aruna
Verschenen in: Microelectronics journal
Paginering: Jaargang 140 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2023
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 19 van 21 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland