|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
A new method of SOS epitaxial growth with amorphous Si buffer layer |
| Auteur: |
Ishida, M. Ohyama, H. Wakamatsu, H. Abe, H. Yasuda, Y. Nishinaga, T. Nakamura, T. |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 14 () nr. 6 pagina's 114-115 |
| Jaar: |
1983 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Benn Electronics Publications Ltd. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |