|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of ambipolar and linearity behavior of the misaligned double gate-drain dopant-free Nano-TFET: Design and performance enhancement |
| Auteur: |
Shekhar, Deep Raman, Ashish |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 133 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 19 gevonden artikelen
| << vorige |