|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of band gap and gate dielectric engineering on novel Si0.1Ge0.9-GaAs lateral N-type charge plasma based JLTFET |
| Auteur: |
Kumar, Kaushal Chandra Sharma, Subhash |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 130 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |