|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 18 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron -mobility transistors |
| Auteur: |
Jiang, Guangyuan Cui, Peng Zhang, Guangyuan Zeng, Yuping Yang, Guang Fu, Chen Lin, Zhaojun Wang, Mingyan Zhou, Heng |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 129 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 18 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |