|
Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes |
|
|
|
Titel: |
Comprehensive characterization of vertical GaN-on-GaN Schottky barrier diodes |
Auteur: |
Raja, P. Vigneshwara Raynaud, Christophe Sonneville, Camille Eric N'Dohi, Atse Julien Morel, Hervé Phung, Luong Viet Ngo, Thi Huong De Mierry, Philippe Frayssinet, Eric Maher, Hassan Tasselli, Josiane Isoird, Karine Morancho, Frédéric Cordier, Yvon Planson, Dominique |
Verschenen in: |
Microelectronics journal |
Paginering: |
Jaargang 128 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2022 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Ltd |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|