|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 12 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of I–V-T characteristics of Be-doped AlGaAs Schottky diodes grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Oussalah, Slimane Filali, Walid Garoudja, Elyes Zatout, Boumediene Lekoui, Fouaz Amrani, Rachid Sengouga, Noureddine Henini, Mohamed |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 122 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 12 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |