|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Threshold voltage modeling of Gaussian-doped Dual work function Material Cylindrical Gate-all-around (CGAA) MOSFET considering the effect of temperature and fixed interface trapped charges |
| Auteur: |
Banerjee, Pritha Das, Jayoti |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 120 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 14 gevonden artikelen
| << vorige |