|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Current collapse degradation in GaN High Electron Mobility Transistor by virtual gate |
| Auteur: |
Godfrey, D. Nirmal, D. Arivazhagan, L. Godwinraj, D. Mohan Kumar, N. Chen, Yulin Yeh, Wenkuan |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 118 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |