|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Modeling of TID-induced leakage current in ultra-deep submicron SOI NMOSFETs |
| Auteur: |
Xi, Shanxue Zheng, Qiwen Lu, Wu Cui, Jiangwei Wei, Ying Guo, Qi |
| Verschenen in: |
Microelectronics journal |
| Paginering: | Jaargang 102 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |