|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 70 gevonden artikelen
| Titel: |
Application of long short-term memory modeling technique to predict process variation effects of stacked gate-all-around Si nanosheet complementary-field effect transistors |
| Auteur: |
Butola, Rajat Li, Yiming Kola, Sekhar Reddy Akbar, Chandni Chuang, Min-Hui |
| Verschenen in: |
Computers and electrical engineering |
| Paginering: | Jaargang 105 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 70 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |