|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical characterization of defects induced by 12 MeV electrons in p—type Si-SiO2 structuresfn2 fn2 Paper presented at the 10th International School on Vacuum Electron and Ion Technologies, 22–27 Sept. 1997, Varna Bulgaria. |
| Auteur: |
Stefanov, KG Kaschieva, S Karpuzov, D |
| Verschenen in: |
Vacuum |
| Paginering: | Jaargang 51 (1998) nr. 2 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |